SK하이닉스, 세계 최초 16단 HBM3E 개발로 메모리 혁신 이끌다

SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 16단 HBM3E는 고대역폭메모리(HBM) 분야에서 중요한 이정표로 자리 잡았다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결하여 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로, AI와 빅데이터 등 고성능 컴퓨팅 시스템에 주로 사용된다.

HBM(고대역폭메모리)은 여러 개의 D램 칩을 수직으로 쌓아 데이터 전송 속도를 극대화한 메모리 기술이다. 기존 D램보다 훨씬 높은 대역폭을 제공하여 데이터 처리 속도가 중요한 AI 및 빅데이터 처리에 적합하다. HBM은 특히 그래픽 처리 장치(GPU)와 같은 고성능 컴퓨팅 시스템에서 필수적인 요소로 자리 잡고 있다.

SK하이닉스는 HBM3E의 개발을 통해 메모리 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화하고자 했다. 기존의 12단 HBM3에 비해 성능을 대폭 향상시키기 위해 연구개발에 매진하였으며, 그 결과 세계 최초로 16단 HBM3E를 개발하게 되었다. 이는 AI 학습 및 추론 성능을 각각 18%, 32% 향상시키는 성과를 거두었다.

16단 HBM3E는 최대 48GB의 고용량을 구현하였으며, 이는 기존 HBM3의 한계를 뛰어넘는 성능이다. 또한, 칩 사이에 액체 형태의 보호재를 주입하여 열 방출 효율을 높이는 어드밴스드 MR-MUF 공정을 도입하였다. 이 기술은 메모리의 안정성을 높이고, 전력 소모를 80% 이상 줄이는 데 기여하고 있다.

AI와 빅데이터는 현재 가장 주목받는 분야 중 하나로, 이들 시스템에서의 데이터 처리 속도는 매우 중요하다. SK하이닉스의 16단 HBM3E는 이러한 고성능 컴퓨팅 시스템에 최적화되어 있어 AI 모델의 학습 및 추론 속도를 획기적으로 향상시킬 수 있다. 이는 기업들이 더 빠르고 효율적으로 데이터를 처리하고 인사이트를 도출하는 데 큰 도움이 될 것이다.

전력 소모는 데이터 센터 운영에서 중요한 요소 중 하나이다. SK하이닉스는 16단 HBM3E의 개발 과정에서 전력 소모를 80% 이상 줄이는 기술을 도입하였다. 이는 데이터 센터의 운영 비용을 절감하고, 환경적인 측면에서도 긍정적인 영향을 미칠 것으로 기대된다.

SK하이닉스는 내년 초 주요 고객사에 16단 HBM3E 샘플을 공급할 예정이다. 또한, HBM4 이후 로직 공정을 도입하여 글로벌 1위 파운드리 업체와 협력하는 등 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로 성장하기 위한 노력을 지속할 계획이다. 이러한 전략은 SK하이닉스가 메모리 시장에서의 리더십을 더욱 강화하는 데 기여할 것이다.